Hochaufgelöste Rocking Curve-Röntgenanalysen eines SiGe Films auf einer Si (001) Untergrundschicht

Hochaufgelöste Rocking Curve-Röntgenanalysen können zur Analyse der Schichtdicke, Zusammensetzung und Spannungsuntersuchung epitaktischer Einkristallfilme genutzt werden. Ein Großteil der Informationen kann mittels Simulation und/oder Fitting der gemessenen Rocking Curve-Daten aus der röntgendynamischen Beugungstheorie erhalten werden. Abbildung 1 zeigt die Analyse eines SiGe-Film, in epitaktischer Form auf einem Si (001)-Substrat, gemeinsam mit einer Si-Deckschicht aus Molekularstrahlepitaxie (MBE). Die nominale Schichtdicke und die Ge-Konzentration in der SiGe-Schicht betragen 50 nm, bzw. 20.0%. die Schichtdicke der Si-Deckschicht beträgt 20 nm.

an SiGe film epitaxially grown on top of an Si (001) substrate along with an Si cap layer by molecular beam epitaxy (MBE) was analyzed
Die experimentelle Rocking Curve (rot) wurde mithilfe des SmartLab Mehrzweckdiffraktometers und Ge(440)x4 Monochromators gemessen. In blau wird das Fitting-Ergebnis aus der Rocking Curve Analysesoftware von Rigaku gezeigt. Der Fit stimmt hervorragend mit den gemessenen Daten überein. Aus den Daten des Fittings wird ersichtlich, dass die Schichtdicke der SiGe-Schicht 49.24 nm beträgt, mit einer exakten Ge-Konzentration von 13.7%. Die Schichtdicke der Si-Deckschicht beträgt 24.25 nm, ein geringfügig größerer Wert als der Nominalwert.


Das SmartLab ist das modernste hochauflösende Diffraktometer auf dem Markt. Vermutlich die auffälligste Neuerung ist die SmartLab Guidance Software, die dem Benutzer mit einem intelligenten Interface ausstattet um durch alle Feinheiten eines Experiments zu führen, beinahe so als hätte man einen Kristallographiexperten direkt an seiner Seite. Read more about SmartLab...