すれすれ入射X線散乱法(反射X線小角散乱法) による低誘電率層間絶縁膜(Low-k膜)の評価

X線を試料表面すれすれに入射すると、表面構造や薄膜構造を知ることができます。最もポピュラーなすれすれ入射X線測定はX線反射率測定です。X線反射率測定は薄膜材料を問わず、高精度に密度・膜厚・ラフネスを算出することが可能で、多層膜の薄膜構造解析に利用されています。従来、薄膜中の粒子や空孔を測定することは難しいと考えられていましたが、リガクで開発した反射X線小角散乱解析法により、薄膜中の粒子・空孔サイズ分布を短時間で高精度に解析することができるようになりました(1),(2)

参考文献:
(1) K. Omote, Y. Ito and S. Kawamura: Appl. Phys. Lett., 82(4) (2003), 544-546.

(2)伊藤義泰: 真空, 49(2006), 104-108


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