深さ方向の変化を非破壊で見る ~InN/GaN/GaAsの場合~

インプレーン測定では、薄膜試料の表面にX線をすれすれに入射します。この時に、入射する角度を精密に制御することでX線が試料内部に侵入する深さを制御することができます。インプレーン測定により、薄膜表面の深さ方向の変化(方位、格子定数、組成など)を非破壊で解析することができます。


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