Aplicaciones de TXRF-V310

Aplicaciones de TXRF-V310

  • VPD- TXRF (Fase de descomposición por Vapor-Fluorescencia de rayos X por reflexión total) integrado para el análisis de elementos traza de Na~U
    • Aplicable como un monitor de contaminación en línea
    • La detección de metales de transición es posible en el nivel 107 átomos/cm² (500 segundos de medición)
  • Determinación de la distribución espacial de los elementos contaminantes (asignación o mapeo de obleas)
    • Contaminación sobre una superficie de oblea de 300 mm medida en 45 min
    • La distribución de la contaminación se ve a simple vista por los mapas de elementos individuales y por la superposición de la vista de los elementos
    • Las mediciones de alta precisión pueden llevarse a cabo automáticamente en los puntos contaminados encontrados por el screening o detección de toda la oblea
  • Análisis de rutina en puntos particulares: TXRF directamente en las coordenadas designadas
    • Los niveles correctos de contaminación se registran en todos los puntos en una oblea, evitando la interferencia de difracción
    • La detección de metales de transición es posible en el nivel 109 átomos/cm² (500 segundos de medición)
    • Usando una fuente de rayos X de ánodo giratorio de máximo poder, se obtiene un rendimiento tres veces mayor en comparación con una fuente de tubo sellado
    • Los elementos ligeros, metales de transición, y los elementos pesados se miden a la perfección sin tener que cambiar entre varios tubos de rayos X

Análisis de fab totalmente automatizado, de alta sensibilidad

  • 108 átomos/ cm² de nivel de análisis de Ca en el proceso de limpieza
  • 1010 átomos/cm² de nivel de análisis de Na y Al en el proceso de limpieza
  • 108 átomos/cm² de nivel de análisis de metal de transición en el proceso de difusión
  • 108 átomos/cm² de nivel de análisis contaminación de Ni en la limpieza de oxidación posterior

Mapeo o asignación de la superficie total de obleas de 300mm con un máximo rendimiento

  • Mapeo o asignación de la superficie entera en LPCVD (1010 átomos/nivel cm2)
  • Mapeo o asignación de la superficie entera de la contaminación en la implantación de iones
  • Mapeo o asignación completa en el proceso de RIE (1010 átomos/nivel cm2)
  • Mapeo o asignación completa de oblea transferida de herramienta de fabricación (1010 átomos/cm ²)