Metrología de contaminación de superficie

Mide la contaminación elemental en puntos discretos o con mapas completos de obleas

TXRF 3760

El análisis de TXRF puede medir la contaminación en todos los procesos de fabricación, incluyendo la limpieza, litografía, grabado, películas, incineración, etc. El TXRF 3760 puede medir los elementos de Na hasta U con un solo objetivo, un sistema detector de estado sólido y un sistema de rayos X de triple haz.

El TXRF-310 incluye el sistema patentado de fase de muestra Xyθ de Rigaku, un sistema robótico de transferencias de obleas en vacío, y un nuevo software de Windows fácil de usar. Todo esto contribuye a un mayor rendimiento, exactitud, y precisión, y también es fácil de operar.

El software opcional Sweeping TXRF permite la asignación de la distribución contaminante sobre la superficie de la oblea para identificar los "puntos calientes" que pueden ser automáticamente medidos de nuevo para una mayor precisión.

La capacidad opcional del ZEE-TXRF sobrepasa los históricos 15mm de borde de exclusión de los diseños originales TXRF, lo que permite realizar mediciones con cero borde de exclusión.

Features

  • Facilidad de operación y rápido análisis de resultados
  • Acepta obleas de 200 mm y más pequeñas
  • Diseño compacto, para espacios reducidos
  • Fuente de ánodo rotativo de alta potencia
  • Amplia gama de elementos de análisis (Na ~ U)
  • Sensibilidad a elementos ligeros (para Na, Mg y Al)
  • Aplicación a Si descubierto y de sustratos sin Si
  • Coordina la importación de medidas desde las herramientas
    de inspección de defectos para el seguimiento de análisis

Especificaciones de TXRF 3760

  • Tamaño de la oblea: 200 mm máx.
  • Fuente de rayo X de ánodo giratorio
  • Etapa de la muestra: fase XY θ
  • Detector de estado sólido
  • Transformador eléctrico libre de aceite
  • Excitación de triple haz
  • Óptica de alineación automática
  • Importación de datos desde la herramienta de inspección de defectos de la superficie externa

Accesorios para el TXRF 3760

  • Software de comunicación SECS/GEM
  • Las capacidades SP-TXRF permiten realizar un mapeo de la superficie completa de la oblea
  • Las capacidades ZEE-TXRF permiten medidas sin exclusión de borde

Aplicaciones de TXRF 3760

La aplicación del análisis TXRF (Fluorescencia de Rayos X por Reflexión Total) no se limita al análisis de la contaminación metálica sobre obleas de silicio desnudas (o al descubierto). El análisis de TXRF se puede utilizar para evaluar la limpieza de todos los procesos de fab, incluyendo la limpieza, la litografía, el grabado, incineración, películas, etc. Más allá de los dispositivos de silicio, la TXRF es también aplicable a los campos de los dispositivos semiconductores compuestos, MEMS, materiales orgánicos electroluminiscentes, etc.

  • obleas desnudas (o al descubierto)
  • obleas grabadas
  • oblea modeladas
  • VPD-procesado de obleas
  • obleas de vidrios
  • GaAs / SiC / sapphire
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