Espectrómetro en línea, simultáneo de WDXRF

Mediciones del espesor de películas y composición en las láminas de obleas

WaferX 310

El Rigaku WaferX 310 representa la culminación de 25 años de experiencia en el análisis de películas delgadas sobre obleas de silicio por fluorescencia de rayos X. Específicamente fue desarrollado como una herramienta de metrología en proceso, el sistema incorpora la tecnología de "herramienta puente" sirviendo obleas de 6", 8", así como las últimas obleas de 12".

Espesor y composición simultánea

El WaferX 300 es ideal para la medición de las películas BPSG, PSG y de metal. Además, la película delgada BPSG, la película de múltiples capas de circuito, WSIX, las películas de electrodos, películas delgadas ferroeléctricas, FRAM, próxima generación DRAM, y SiOF son las aplicaciones estándares para esta herramienta.

Análisis para apoyar la tecnología sub-micron

El análisis de alta precisión para los elementos ultraligeros como el B y P en películas BPSG se ha mejorado de manera significativa mediante el empleo de un tubo de rayos X de alta potencia de 4kW con una ventana de berilio con ventana súper delgada.

Diseño avanzado

El instrumento emplea un mecanismo ajuste de la altura de la oblea para compensar las diferencias en el espesor de la oblea y el mecanismo de eliminación de difracción de un haz para eliminar la interferencia de difracción por metales de transición. La vaina unificada de apertura frontal integrada, FOUP (SMIF) está disponible, apoyando el estándar C-to-C. Varios casetes de usuario también se puedene cargar. El FOUP (SMIF) a través de la opción de pared está disponible.

Features

  • Evaluación simultánea de la composición y el espesor de la película
  • Aplicable a todos los tipos de película
  • Acepta obleas de 300 mm, 200mm y 150mm
  • Capaz de un máximo rendimiento analítico, precisión y estabilidad
  • Capacidad patentada de "evadir la difracción" para obtener resultados precisos de FRX (fluorescencia de rayos X)
  • Alta sensibilidad de análisis boro (con el canal AD-boro)
  • Configuraciones FOUP, SMIF y a través de la pared están disponibles para satisfacer las diversas necesidades de grandes volúmenes de fábricas de producción de obleas

Especificaciones de WaferX 310

  • Tamaño de la oblea: 300mm, 200mm, y 150mm
  • Elementos de análisis simultáneo:21 canales máximo, tipo fijo (4Be ~92U), tipo de exploración (22Ti ~92U)
  • Tubo de rayos X: Objetivo de Rh, 4 kW máx.
  • Apertura: 10mm, 20mm, 40mm de diámetro con cambiador automático
  • Detector SC, S-PC, F-PC (PR gas requerido para F-PC)
  • Etapa XYZθ de la unidad de la muestra
  • Análisis de designación del punto: r , θspec, r: 1mm unit, θ: 1° unit; X, Y spec 1mm unit; ratón y teclado disponibles
  • Mecanismo de rotación de la muestra: Disponible para el análisis de punto central, 3rpm
  • Evacuación de carga: cámara de bloqueo
  • Casete - 300 mm: cinta abierta o FOUP (13 ó 25 obleas) - 200mm, 150mm: 25- o 26- oblea de casete abierto, orientación de alineación plana/ranura
  • Bomba de vacío: bomba en seco
  • Sistema de estabilización: estabilizador de temperatura, sistema de control automático de vacío
  • Intercambiador de calor: sistema de circulación de obleas desionizadas
  • Sistema de procesamiento de datos: PC con Windows 7, espesor de la película/software de análisis de concentración simultánea, software de parámetros fundamentales para el análisis de película delgada
  • Normas de seguridad: Cumple con la SEMI S2-0310
  • Otros: SMIF, FFU, configuraciones a través de paredes, etc.

Accesorios para el WaferX 310

  • Software de automatización GEM-300 para la automatización completa de fábricas.
  • Función de auto-calibrado

Aplicaciones de WaferX 310

  • Películas de aislamiento: SiO2, BPSG, PSG, AsSG, Si3N4, SiOF, SiON, etc.
  • High-k y películas ferrodieléctrica: PZT, BST, SBT, Ta2O5, HfSiOx
  • Películas de metal: Al-Cu-Si, W, TiW, Co, TiN, TaN, Ta-Al, Ir, Pt, Ru, Au, Ni, etc.
  • Películas de electrodos: dopado poli-Si (dopante: B, N, O, P, As), amorfo-Si, WSix, Pt, etc.
  • Otras películas dopadas (As, P), gas inerte atrapado (Ne, Ar, Kr, etc.), C (DLC)
  • Láminas delgadas ferroeléctricas, FRAM, MRAM, GMR, TMR; PCM, GST, GeTe
  • Composición de perla de soldadura: SnAg, SnAgCuNi
  • MEMS: composición y espesor de ZnO, AlN, PZT
  • Proceso dispositivo SAW: composición y espesor de AlN, ZnO, ZnS, SiO2(piezo film); Al, AlCu, AlSc, AlTi (película de electrodo)
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