Asignación (mapeo) recíproco de rayos X de en alta-resolución de una epi-película (lámina) de AIN en zafiro

La calidad del cristal y su estado de tensión son cruciales en la aplicación de películas epitaxiales de semiconductores. La asignación (mapeo) reciproco de rayos X en alta definición, disponible en el difractómetro multipropósito SmartLab de Rigaku, ofrece la medida cuantitativa más segura para la calidad del cristal y su estado de tensión. Por ejemplo, cuando las epi-capas de AIN son crecidas sobre un sustrato de zafiro (001), la falta de coincidencia entre la celosía y el sustrato a menudo causa relajación de tensión.

Las dislocaciones inducidas perjudican la calidad de la película. En la Figura a continuación, se muestran los puntos espaciales recíprocos de las celosías de un mapa simétrico de espacio recíproco alrededor del zafiro (006) y de un mapa asimétrico de espacio reciproco alrededor del zafiro (119). En el mapa simétrico, el pico de AIN (002) parece ser mucho más ancho, lo cual indica que la calidad de la película es relativamente baja en comparación al sustrato. En el mapa simétrico, el pico de AIN (113) aparece en un valor-q dentro-de-plano diferente al del pico de zafiro (119), lo cual sugiere relajación de tensión parcial de la película. Es claro que las dislocaciones por desajuste inducidas por relajación son responsables por la baja calidad del cristal de la película de AIN.


El SmartLab es el más novedoso difractómetro de alta resolución disponible en la actualidad. Tal vez su característica más novedosa es el software SmartLab Guiadance, que proporciona al usuario una interfaz inteligente que le guía a través de las complejidades de cada experimento. Es como tener un experto a su lado. Read more...