Análisis de curva oscilante de rayos X en alta-resolución de una película (lámina) de SiGe producida en un sustrato de Si (001)

Las curvas oscilantes de rayos X en alta-resolución pueden ser usadas para analizar el grosor, la composición, y el estado de tensión de películas epitaxiales de mono-cristal. Mucha de esta información puede ser obtenida al simular y/o ajustar las curvas oscilantes medidas usando la teoría de difracción dinámica de rayos X. En la figura 1, se analiza una película de SiGe producida epitaxialmente sobre un sustrato de Si (001) a lo largo de una capa de tapa de Si mediante epitaxia de haz molecular (MBE). El grosor nominal y la concentración de Ge en una capa de SiGe son de 50 nm y 20%, respectivamente. El grosor de la capa de tapa nominal es de 20 nm.

an SiGe film epitaxially grown on top of an Si (001) substrate along with an Si cap layer by molecular beam epitaxy (MBE) was analyzed
La curva oscilante experimental (roja) fue medida con el difractómetro multipropósito SmartLab de Rigaku con un monocromador Ge(440)x4. La curva azul es el resultado ajustado usando el Software de análisis de curva oscilante de Rigaku. El ajuste perfectamente concuerda con los datos medidos. En base a los datos ajustados, aprendimos que la capa de SiGe es, realmente, de 49.24 nm con una concentración Ge de 13.7%. La capa de tapa de Si tiene un grosor de 24.25 nm, lo cual es un poco más alto que el valor nominal.


El SmartLab es el más novedoso difractómetro de alta resolución disponible en la actualidad. Tal vez su característica más novedosa es el software SmartLab Guiadance, que proporciona al usuario una interfaz inteligente que le guía a través de las complejidades de cada experimento. Es como tener un experto a su lado. Read more about SmartLab...