インプレーン逆格子マップ法によるZnO薄膜の方位評価

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ZnOは透明導電極の新しい材料として注目を集めており、フラットパネルディスプレイや白色LEDへの応用が期待されています。薄膜状態の材料評価では、基板と膜の結晶方位の関係を知ることが重要です。X線回折装置でインプレーン逆格子マップ法を用いると、試料面内方向の結晶方位の評価を行うことが可能です。


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