全反射蛍光X線分析装置 TXRF-V450

  • ロータ型高出力X線発生装置と新設計入射X線モノクロメータを採用
    ダイレクトTXRF測定法で遷移金属LLD E8 atoms/cm2 レベルを実現。封入型X線管の1/3の測定時間で同じ精度が得られ高スループットを実現しました。
  • 組込み一体型全自動VPD機能を搭載
    Na~Uまで超微量分析が可能です。VPD-TXRFの検出限界(LLD)はAl 108 レベル、遷移金属で106 レベルを実現しました。VPD前処理からTXRF測定まで完全自動です。ベベル回収VPD機能も備えています。
  • 1ターゲット3ビーム方式を採用
    3種類の分光結晶により、測定元素に最適な単色化X線ビームを取り出し、汚染元素励起に使用するリガク特許方式です。軽元素測定用のW-Mα線は、Siを励起しないため、Na,Mg,Al分析が可能になりました。Na~Uまで連続的に高精度自動分析を行います。
  • 回折線除去により散乱線の影響を極小化
    高次反射を抑えた光学系 とX-Y-θ駆動ステージを採用し、X線入射方位自動選択機能により基板からの回折線を無くし、散乱線の妨害を極小化した高S/N測定が行えます。ウェーハ全面の正確で高精度な微量分析が可能です。
  • 異物検査座標データとの座標リンクが可能
    異物検査装置の座標データをTXRF装置に取り込み、パーティクル存在箇所の汚染元素分析が可能です。独自のアルゴリズム採用の点滴痕サーチ機能はすばやく正確な座標が求められます。
  • ウェーハ面内高速汚染スクリーニング 「Sweeping-TXRF機能」
    ダイレクトTXRF法でウェーハ面内をもれなく高速測定し、汚染元素の分布状態を明らかにするSweeping-TXRF法が使用できます。大口径の450mmウェーハの全面の汚染分析を約50分で行います。汚染元素の分布状態のほか、全面の測定値を積算してウェーハ面内平均汚染濃度も算出可能です。
  • エッジエクスクルージョン0mm 非破壊・非接触汚染測定 「ZEE-TXRF機能」
    これまでTXRF法では測定できなかったウェーハエッジ近傍の高感度測定を実現しました。汚染が集中するエッジ部の汚染分析がTXRFで可能になりました。
  • ウェーハ裏面全自動測定「BAC-TXRF機能」
    ウェーハ反転ロボットをEFEM内に搭載し、450mmウェーハ裏面汚染測定の無人全自動化を実現しました。ZEE-TXRF機能と組み合わせれば、ウェーハ各部の包括的汚染分析評価が可能です。
  • SDSA 点滴サーチ機能
    VPD回収後の汚染乾燥痕の位置座標をすばやく正確にサーチする SDSA 機能( Square Drop Search Algorism )を搭載しています。
  • 450mmFab対応
    MAC/FOUP/インターフェースを装備、450mm/300mmウェーハに対応します。また様々なAMHSに対応、ホストコンピューターとSECS/GEMプロトコルの対応で、CIM/FAを支えます。
TXRF-V450

全反射蛍光X線方式を採用し、ウェーハ表面上の汚染を非破壊・非接触で高感度に分析する装置です。450mm、300mmウェーハに対応し、軽元素Naから重元素Uまでの汚染元素を極微量で分析できます。ウェーハからの回折X線の妨害を除くステージ駆動方式を採用。正確かつ高精度な汚染元素分析が可能です。世界初、唯一のVPD装置組込み型TXRF-V450 は、遷移金属で106 atoms/cm2 レベルの検出下限を実現しています。ウェーハ面内高速汚染マッピング測定 「Sweeping-TXRF機能」 や ウェーハエッジ近傍の測定を可能にした 「ZEE-TXRF機能」、新開発「ベベル回収VPD機能」 など、多彩な機能を搭載し、450mmウェーハプロセスにおける汚染管理を強力にサポートします。





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