全反射蛍光X線分析装置 TXRF 3800e

  • 封入型X線管と新設計入射X線モノクロメーターを採用
    ダイレクトTXRF測定法で遷移金属LLD 109 atoms/cm2 レベルの分析ができます。
  • 低COO (Cost Of Ownership) 設計
    封入型X線管方式の採用、真空ポンプ削減、液体窒素不要、オイルレストランス採用など、イニシャルコストとランニングコストを低減しました。
  • 1ターゲット2ビーム方式を採用
    2種類の入射X線モノクロメーターにより、測定元素に最適な単色化X線ビームを取り出し、汚染元素励起に使用する特許方式です。 S~Uまで連続的に高精度自動分析を行います。
  • 回折線除去により散乱線の影響を極小化
    高次反射を抑えた光学系 とX-Y-θ駆動ステージを採用し、X線入射方位自動選択機能により基板からの回折線を無くし、散乱線の妨害を極小化した高S/N測定が行えます。 ウェーハ全面の正確で高精度な微量分析が可能です。
  • 異物検査座標データとの座標リンクが可能
    異物検査装置の座標データをTXRF装置に取り込み、パーティクル存在箇所の汚染元素分析が可能です。
  • ウェーハ面内高速汚染スクリーニング 「Sweeping-TXRF機能」
    ダイレクトTXRF法でウェーハ面内をもれなく高速測定し、汚染元素の分布状態を明らかにするSweeping-TXRF法が使用できます。 従来の面内5点や9点といった代表座標測定では捉えられなかったウェーハ全面の汚染分析を短時間で行います。 150mmウェーハ全面の5×1010 atoms/cm2 の汚染検出を 僅か20分で完了します。汚染元素の分布状態のほか、全面の測定値を積算してウェーハ面内平均汚染濃度も算出可能です。
  • エッジエクスクルージョン0mm 非破壊・非接触汚染測定 「ZEE-TXRF機能」
    これまでTXRF法では測定できなかったウェーハエッジ近傍の高感度測定を実現しました。 汚染が集中するエッジ部の汚染分析がTXRFで可能になりました。
  • 各種CIM/FAに対応
    ホストコンピューターとSECS通信可能で、各種CIM/FAに対応します。 オープンカセットの他、SMIF PODにも対応可能 (オプション)です。
TXRF 3800e

全反射蛍光X線方式を採用し、ウェーハ表面上の汚染を非破壊・非接触で高感度に分析する装置です。封入型X線管を採用した低COO (Cost of Ownership) モデルで、液体窒素も不要です。~200mmウェーハに対応し、遷移金属Sから重元素Uまでの汚染元素を極微量で分析できます。ウェーハからの回折X線の妨害を除くステージ駆動方式を採用。正確かつ高精度な汚染元素分析が可能です。ウェーハ面内高速汚染マッピング測定 「Sweeping-TXRF機能」 や ウェーハエッジ近傍の測定を可能にした 「ZEE-TXRF機能」など、多彩な機能を搭載し、半導体量産工程やプロセス開発における汚染管理を強力にサポートします。





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