из тенких пленок в In-plane геометрии

Возможность осуществления сканирования в двух взаимно-перпендикулярных плоскостях без необходимости перенастройки системы является революционным прорывом в дифрактометрии тонких пленок. Использование in-plane геометрии позволяет проводить анализ пленок толщиной до 1 нм. В такой геометрии можно определять параметры решетки в плоскости образца, а также определять ориентационные соотношения в системе пленка /подложка, что недоступно при использовании стандартной геометрии.

Области применения:

  • Идентификация фаз
  • Толщина
  • Текстура/ориентация
  • Качество интерфейса
  • Структурное совершенство
  • Плотность
  • Деформация/напряжение

Использование геометрии скользящего падения пучка является исключительно важным при анализе пленок, полученных фотокатализом. Использование СВО оптики позволяет проводить измерения порошков и объемных материалов. На рисунке слева показано преимущество использования геометрии скользящего падения пучка по сравнению с обычной симметричной геометрией θ/2θ сканирования. На дифрактограмме, при съемке в геометрии скользящего падения пучка, отчетливо наблюдаются рефлексы от тонкой пленки, которые не удается зарегистрировать в обычной геометрии.

enhancement of diffraction data in glancing incidence mode

Использование геометрии съемки в двух взаимно-перпендикулярных плоскостях позволяет получать полную информацию о текстуре тонких пленок. На рисунке приведены данные сканирования в плоскостях (00L) и (HK0) для пленки Si/pentacene толщиной 50 нм. Съемка в in-plane геометрии проводилась при угле падения рентгеновского излучения равном 0.18° и в итоге позволила получить уникальную информацию об ориентации тонкой пленки.

enhancement of diffraction data in glancing incidence mode

Рентгеновская рефлектометрия (XRR) используется для определения толщины пленок, шероховатости поверхности, качества интенфейса и плотности в многослойных структурах. Перестройка системы буквально одним касанием и автоматическая юстировка системы является решающей при переводе системы в режим рефлектометра, что в итоге обеспечивает простоту проведения измерений. На рисунке внизу приведены экспериментальная и расчетная кривые зеркального отражения окисленных слоев GaAs, GaAs, InGaAs на подложке GaAs.

enhancement of diffraction data in glancing incidence mode



Ultima IV представляет собой передовой многоцелевой рентгеновский дифрактометр. Внедрение CBO оптики, запатентованной компанией, на постоянной основе, надолго выровненной и с выбираемыми пользователем геометриями (параллельнного пучка или фокусирующей) - все это позволяет выполнять множество различных измерений ... быстро. Read more...