Анализ тонких пленок

Для тонкопленочных материалов текстурный анализ позволяет определять взаимную ориентацию решетки напыленной пленки относительно решетки подложки. На рисунке в качестве примера приведены полюсные фигуры, снятые в плоскости образца для монокристаллической подложки Pt и нанесенной на нее тонкой пленки (Pb, La)TiO3/Pt/MgO. Наглядно видна взаимная ориентация между пленкой и подложкой. Отличительной особенностью здесь является использование геометрии съемки в плоскости образца, что позволяет построить полную полюсную фигуру для подложки и тонкой пленки.

in-plane pole figures collected

Возможно, самым полезным измерением для точного объяснения свойств тонких пленок на основе данных рентгеновской дифрактометрии является использование карт электронной плотности. Карта электронной плотности дает наиболее полную информацию о деталях эпитаксиальных гетероструктур. Она может быть использована для объяснения ориентации, напряжений и степени совершенства тонких пленок. В приведенном примере использовано сканирование в плоскости, параллельной поверхности тонкой пленки.

reciprocal space map (RSM)

Для дифрактометрии высокого разрешения СВО оптика в сочетании с автоматически настраиваемыми щелевыми монохроматорами обеспечивают высокую коллимацию и интенсивность рентгеновского пучка, что в итоге позволяет создать оптимальную для использования конфигурацию оптической системы. Ниже приведена кривая качания высокого разрешения демонстрирующая разделение между пиками подложки и легированного поверхностного слоя.

high resolution rocking curve



UltimaUltima IV представляет собой передовой многоцелевой рентгеновский дифрактометр. Внедрение CBO оптики, запатентованной компанией, на постоянной основе, надолго выровненной и с выбираемыми пользователем геометриями (параллельнного пучка или фокусирующей) - все это позволяет выполнять множество различных измерений ... быстро. Read more about Rigaku's Ultima IV...