インプレーン回折法、およびX線反射率法 によるhigh-k材料(HfO2)の評価

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トランジスターのゲート絶縁膜として使用されてきたSiO2は、回路の微細化に伴い、その厚さは1 nm以下にまで薄くする必要があります。しかし、漏れ電流が生じ、絶縁膜として機能しなくなってしまうため、これに代わる高誘電率(high-k)材料がさかんに研究されています。high-k膜では移動度の制御やリーク電流の抑制が重要になりますが、これらは薄膜の結晶性、結晶構造、膜厚等に密接な関係があります。今回は、代表的なhigh-k材料であるHfO2膜の結晶構造や膜厚等の情報を、インプレーン回折法とX線反射率法にて評価しました。


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