X線回折法によるhigh-kゲート絶縁膜の構造評価

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高誘電率(high-k)極薄ゲート酸化絶縁膜では、膜厚、中間層の有無、結晶化の状態などの膜構造が、設計どおりになっているかどうかの評価が不可欠です。厚さ1 nm程度の非常に薄い絶縁膜でも、X線反射率法による膜厚、密度、界面ラフネスなどの膜構造評価や、試料表面すれすれにX線を入射するインプレーン回折法による膜の結晶化度評価を行うことができます。


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