Direct Silicon Bonding(DSB)基板の接合界面 および結晶性の評価

微細化によって達成されてきたSi系MOSデバイスの高速動作性能の向上は、物理的な限界に到達してきていると言われ、近年では微細化に頼らずに高性能化を目指す研究が活発になってきています。(110)面方位を持つSi基板と(100)面方位を持つSi基板とを直接接合したDirect Silicon Bonding基板(1)(以下DSB基板と略す)もその一つで注目を集めています。X線回折によって接合された(110)面方位層の厚さや結晶性、さらに接合界面における結晶欠陥などについて評価することができます。


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