极紫外线光刻的多层光学器件

13.5 nm、6.x nm波长的高效率多层光学器件

EUV optics

理学是Osmic®多层涂层和极紫外线光刻技术的独家供应商。基于超过25年向用于大量生产工业和科学开发和供应X射线多层膜和光学器件的经验,我们的产品通过优化的应用和资源/工具特点提供最高的仪器性能。

13.5nm(EUV)的普通入射光学

EUVL是采用大量生产内存和逻辑集成电路的领先技术。理学生产的为EUVL优化的Mo/Si多层膜和各种设计的保护层可用于收集,用于扫描仪的分划板预先检查(pre-reticle),以及为计量学设定光刻前样品(pre-sample)光束条件和光刻后样品(post-sample)成像。

6.x nm(BEUV)的普通入射光学

虽然EUVL法已被采用,半导体工业正在调查新一代工具。超紫外线光刻(BEUV)是基于当下发展的新X射线源和相关的多层光学系统。我们提供BEUV的最高性能。

Features

  • 经优化的多层光学设计获得最高性能
  • 13.5nm典型(基板基础)的高反射率≥65%
  • d间距图谱精度± 0.05 Å rms
  • 尺寸:线形1.5m x 0.5m,直径达450mm
  • 标准生产材料:Mo/Si、La/B、La/B₄C、Ru/B₄C、Mo/B4C、W/C、Cr/C、Cr/Sc、Al₂O₃/B₄C、SiC/Si、Si/C、SiC/C甚至更多

EUV 光学器件

  • EUVL高功率X射线源收集器光学器件
  • EUVL计量工具光学器件;照明和成像
  • EUV和BEUV自定义光学器件用于研发


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