并列同时分析的WDXRF光谱仪

测量空白晶圆的薄膜厚度和组成

WaferX 310

理学的WaferX 310象征了35年硅晶圆薄膜的X射线荧光分析经验的顶点。专门开发例如同进程计量工具,提供"桥梁工具(bridge tool)"技术,提供服务6英寸、8英寸以及最新的12英寸晶圆。

同时分析厚度和组成

WaferX 310是测定BPSG、PSG和金属薄膜的最佳选择。此外,薄膜BPSG、多层电路薄膜、WSix、电极薄膜、强电性介质薄膜、FARM、新一代DRAM和SiOF是该工具的标准应用。

分析支持亚微米技术

例如BPSG薄膜中B和P超轻元素的高精度分析通过采用4kW高功率X射线管和一个超薄的铍窗口而显著提高。

先进的设计

仪器采用一个晶圆高度调整机制来弥补晶圆厚度的差异,防止衍射机制用来消除衍射干扰从而过渡金属。集成的FOOUP(SMIF)可用,支持C-C标准。还可以加载各种用户晶圆料盒。提供前端开口通用接载装置 (FOUP:Front Opening Unified Pod or Front Opening Universal Pod), 标准机械接口 (SMIF:Standard Mechanical InterFace), 和穿墙式(through-the-wall)配置选项可用。

Wafer X 310

Features

  • 同时分析薄膜厚度和组成
  • 适用于所有类型薄膜
  • 可测定300mm、200mm和150mm晶圆
  • 高分析性能、高精度和高稳定性
  • 用于获得精确XRF结果的专利“衍射防止”性能
  • 高灵敏度B分析(附带AD-B道)
  • 固态无油X射线发生器
  • FOUP、SMIF和穿墙式配置可用于满足晶圆厂大量生产的各种需要

WaferX 310 附件

  • 全工厂自动化的GEM-300自动软件
  • 自动校准功能

WaferX 310 应用

  • 隔离薄膜:SiO2、BPSG、PSG、AsSG、Si3N4、SiOF、SiON等
  • 高钾和强电性介质薄膜:PZT、BST、SBT、Ta2O5、HfSiOx
  • 金属薄膜:Al-Cu-Si、W、TiW、Co、TiN、TaN、Ta-Al、Ir、Pt、Ru、Au、Ni等
  • 电极薄膜:掺杂多晶硅(掺杂物:B、N、O、P、As),无定形硅、WSix、Pt等
  • 其他掺杂薄膜(As、P)、封闭惰性气体(Ne、Ar、Kr等)、C(DLC)
  • 铁电薄膜、FRAM、MRAM、GMR、TMR;PCM、GST、GeTe
  • 焊锡凸块组成:SnAg、SnAgCuNi
  • MEMS:ZnO、AlN、PZT的厚度和组成
  • SAW设备处理:AlN、ZnO、ZnS、SiO2(压电薄膜)的厚度和组成;Al、AlCu、AlSc、AlTi(电极薄膜)


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