蓝宝石(1010)m面基板上AIGaNGaN的摇摆曲线分析

AlGaN具有广泛的应用,包括从蓝到紫外区域的LED(发光二极管)、蓝色半导体激光器、紫外线辐射探测器和高电子迁移率晶体管(HEMT)。为了微调每个设备的性能,需要了解外延膜生长条件与产生的薄膜属性之间的关系,例如薄膜厚度和AIN与GaN的比。X射线摇摆曲线分析技术用于研究AlGaAs、InGaAs、SiGe等的外延膜结构,最近更多位AlGaN和InGaN。然而,由于摇摆曲线计算复杂,分析程序往往使用近似值和仅支持例如立方或c轴取向六角形的简单系统。这些程序没有足够的灵活性来研究当今先进的外延结构,包括蓝宝石a、m或r面基板上的AlGaN/GaN或InGaN/GaN外延膜。通过应用扩展摇摆曲线理论,不使用常规近似或要求系统简洁性,可以避免这些问题。下面是在蓝宝石(1010)m面基板上AlGaN/GaN的摇摆曲线拟合分析结果。高分辨率X射线衍射一SmartLab用于收集数据,扩展摇摆曲线分析软件GlobaFit用于层结构分析。


AlGaN/GaN(1010) rocking curve


AlGaN/GaN(1010)摇摆曲线

下图是使用曲线拟合分析获得的AIN组成和精确的AlGaN层厚度。


Analysis result


分析结果(样品:由加州大学圣芭芭拉分校免费提供)

通过实施GlobalFit算法使摇摆曲线分析更容易。此处显示的相同分析技术可应用于各种多层和超晶格结构。


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