硅(001)基板上生长的SiGe薄膜的高分辨率X射线摇摆曲线分析

高分辨率X射线摇摆曲线可用于分析外延单晶薄膜的厚度、组成和应变状态。通过使用X射线动力学衍射理论拟合测量的摇摆曲线,可以获得更多的信息。图1中,对一个SiGe薄膜进行分析。该薄膜通过分子束外延沿着硅覆盖层,外延生长在硅(001)基板的覆盖层上。SiGe层的名义厚度和Ge浓度分别为50nm和20.0%。覆盖层的名义厚度为20nm。

an SiGe film epitaxially grown on top of an Si (001) substrate along with an Si cap layer by molecular beam epitaxy (MBE) was analyzed
实验摇摆曲线(红色)通过SmartLab多功能衍射仪和一个Ge(440)x4单色器进行测量。蓝色曲线是使用理学摇摆曲线分析软件获得的拟合结果。该拟合与测量结果完全吻合。通过拟合我们知道了SiGe层的厚度为49.24nm,Ge浓度为13.7%。Si覆盖层厚度为24.25nm,比名义厚度值略高。

SmartLab是当下最新型的高分辨率衍射仪。它的最新特点是SmartLab Guidance软件。此软件向用户提供智能界面,指导用户完成每个实验中的复杂问题。使用SmartLab Guidance软件就像有一位专家在您的身边指导完成实验。 Read more about SmartLab...