Si(001)上的SiC薄膜的三轴X射线衍射

碳化硅用于蓝色LED、超快高电压肖特基二极管、金属半导体场效应晶体管和高温晶闸管大功率开关。通过Si上生长的SiC薄膜,它可以自然与成熟的Si技术一体化。横长高质量、无缺陷的SiC薄膜对它们的应用至关重要。

高分辨率三轴X射线衍射向测量薄膜质量和缺陷密度可能性提供一个非破坏的、快速的、定量性的分析方法。

下图显示了使用SmartLab衍射仪测量的Si(001)基板上200nm厚的SiC薄膜的(008)Bragg点附近的ω和ω/2θ衍射图。通过使用三轴配置,由Ge(220)四晶单色器和Ge(220) 双晶分析仪组成,沿着面内和面外方向分别计算SiC倒格点宽度。面内宽度(Δω)通常与马赛克扩大或失配位错密度有关,而面外宽度(Δ2θ)与由于组成变化等发生变化的晶格常数有关。样品狭窄的面内和面外峰宽表明该薄膜优异质量。

Residual Stress

SmartLab是当下最新型的高分辨率衍射仪。它的最新特点是SmartLab Guidance软件。此软件向用户提供智能界面,指导用户完成每个实验中的复杂问题。使用SmartLab Guidance软件就像有一位专家在您的身边指导完成实验。 Read more about SmartLab...