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XRD de alta resolución

HRXRD

Textura/tensión de capas epitaxiales

La difracción de rayos X de alta resolución se ha utilizado durante mucho tiempo en la industria de semiconductores compuestos para la caracterización de capas epitaxiales. Tradicionalmente, se ha utilizado en la determinación del grosor y la composición de las capas epi, pero más recientemente la técnica ha avanzado para permitir la determinación de la tensión y la relajación dentro de una capa dada de una estructura multicapa. Las curvas oscilantes de rayos X de alta resolución se pueden usar para analizar el espesor, la composición y el estado de deformación de las películas epitaxiales de cristal único. Gran parte de esta información puede obtenerse simulando y/o ajustando la curva de oscilación medida utilizando la teoría de difracción dinámica de rayos X. En la imagen (a la derecha), se analizó una película de SiGe desarrollada epitaxialmente sobre un sustrato de Si (001) junto con una capa de Si por Epitaxia de Haz Molecular (MBE). El espesor nominal y la concentración de Ge de la capa de SiGe son 50 nm y 20.0%, respectivamente. El espesor nominal de la capa es de 20 nm. La curva de balanceo experimental (rojo) se midió en el difractómetro multipropósito SmartLab con un monocromador Ge (440) x4. La curva azul es el resultado ajustado usando el software de análisis de curva oscilante de Rigaku. El ajuste concuerda perfectamente con los datos medidos. Del ajuste, aprendemos que la capa de SiGe es en realidad de 49.24 nm con una concentración de Ge del 13.7%. El grosor de la capa de Si es 24.25 nm, ligeramente más alto que el valor nominal.