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XRTmicron
Características
  • Fuente de rayos X de doble longitud de onda de alto brillo: MicroMax-007 DW.
  • Cámara CCD de alta resolución: XTOP (5.4 μm píxeles)
  • Cámara CCD de resolución ultra alta: HR-XTOP (2.4 μm píxeles)
  • Montaje de muestra horizontal para una mínima tensión artificial para las obleas.
  • Corrección automática de la curvatura de la oblea para obtener la mejor calidad de imagen de dislocación.
  • Operación automática del sistema que incluye un interruptor anódico de rayos X, un interruptor detector, un interruptor óptico y alineación, alineación de muestras y recolección de imágenes.
  • Análisis automático de dislocación.
  • Acepta obleas de 3, 4, 6, 8, 12 pulgadas.
  • Compatible con cargador de obleas.

Sistema de imágenes de topografía de rayos X

Para la evaluación no destructiva de materiales monocristalinos

Imagen de dislocación no destructiva

Rigaku XRTmicron es un sistema de topografía de rayos X de laboratorio rápido y de alta resolución para imágenes de dislocación no destructiva. Varios tipos de dislocaciones y falta de uniformidad dentro de las obleas de monocristales (como Si, SiC, GaN, Ge, GaAs, cuarzo, zafiro, rutilo, fluoruro de calcio, etc.) pueden ser capturados en obleas de hasta 300 mm de diámetro. La topografía de rayos X es una técnica de análisis de dislocación ampliamente utilizada tanto para la investigación y el desarrollo como para el control de procesos por parte de varios fabricantes de cristales, obleas y dispositivos.

Topografía diseñada para el rendimiento

Se logra una velocidad de escaneo inigualable diez veces mayor en comparación con la de los sistemas convencionales combinando el MicroMax-007 DW, una fuente de rayos X de doble longitud de onda de alto brillo y los espejos de rayos X optimizados para la aplicación de topografía. Ambos ánodos de rayos X Cu y Mo y sus espejos se montan simultáneamente en el sistema y se conmutan bajo demanda; para realizar mediciones de reflexión y transmisión sin ninguna reconfiguración del sistema. Una cámara CCD ya sea de alta resolución (5.4 μm píxeles) o de ultra alta resolución (2.4 μm píxeles) captura una imagen digital de dislocaciones. Ambas cámaras pueden montarse simultáneamente en el sistema y ser cambiadas por demanda según la resolución requerida.

Topografía de rayos X completamente automática

Diseñado para la usabilidad, todo el proceso de recolección de imágenes de datos es completamente automático, incluyendo: el interruptor anódico, el interruptor del detector, el interruptor óptico y de alineación, la recolección de imágenes y la alineación de muestras. Además, el sistema se puede combinar con un cargador de obleas y un software de conteo de dislocaciones basado en el reconocimiento de imágenes. Se pueden crear recetas personalizadas para automatizar todo el proceso, desde cargar una oblea hasta informar las densidades de dislocación.

Especificaciones
Nombre del producto XRTmicron
Técnica Topografía de rayos X
Ventajas Evaluación no destructiva de materiales monocristalinos
Tecnología Reproducción de imágenes usando rayos X
Atributos principales Fuente de rayos X de alto flujo y de objetivos múltiples, generador de imágenes CCD
Opciones principales XTOP o HR-XTOP CCD
Computadora PC externa, sistema operativo MS Windows®
Dimensiones principales 1800 (ancho) x 1800 (alto) x 1870 (profundo) (mm)
Masa (unidad central) 2200 kg
Requerimientos de energía. 3Ø, 200 V, 15 A 

Application Bytes



XRT Publications

  1. Thomas Wicht et al,: “X-ray characterization of physical-vapor-transportgrown bulk AlN single crystals” Jour. Appl. Cryst., vol.53, (2020) 1080 – 1086 https://journals.iucr.org/j/issues/2020/04/00/te5057/te5057.pdf
  2. T. Abe et al,: “Steady distribution structure of point defects near crystal-melt interface under pulling stop of CZ Si crystal” Jour. Cryst. Growth, vol.459, (2017) 87 – 94 https://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0022024816307849
  3. Tanaka et al,: “Growth of Shockley type stacking faults upon forward degradation in 4H-SiC p-i-n diodes” Jour. Appl. Phys., vol.119, (2016) 095711-1 – 095711-9 https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.4943165
  4. Fraunhofer Institute for Integrated Systems and Device Technology IISB: https://www.iisb.fraunhofer.de/en/press_media/press_releases/pressearchiv/archiv_2019/rigaku_xrtmicron_2019.html
  5. Yonenaga and K. Kutsukake: “Transmission behavior of dislocations against Σ3 twin boundaries in Si” Jour. Appl. Phys., vol.127, (2020) 075107-1 – 075107-8 (XRT-300) https://aip.scitation.org/doi/abs/10.1063/1.5139972
  6. N. Shinagawa et al,: “Populations and propagation behaviors of pure and mixed threading screw dislocations in physical vapor transport grown 4H-SiC crystals investigated using X-ray topography” Jpn. J. Appl. Phys., vol.59, (2020) 091002-1 – 091002-7 (XRT-100+HR-XTOP) https://iopscience.iop.org/article/10.35848/1347-4065/abab46/meta
  7. N. Tatsumi et al,: “Crystalline quality distributions of the type IIa diamond substrate and the CVD diamond layer processed by chemical mechanical polishing using a SiO2 wheel” Jpn. J. Appl. Phys., vol.57, (2018) 105503-1 – 105503-6 (XRT-300) https://iopscience.iop.org/article/10.7567/JJAP.57.105503/meta
  8. K. Inaba : “Defect structure analysis in single crystal substrates using XRTmicron” Rigaku Journal, vol.36 no.2, (2020) 11-18 https://www.rigaku.com/journal/summer-2020-volume-36-no-2/11-18
  9. New products “Automated dislocation evaluation software for X-ray topography images” Rigaku Journal, vol.32 no.1, (2016) 33-35 https://www.rigaku.com/journal/winter-2016-vol32-no1/33-35
  10. New products “High-throughput, high-resolution X-ray Topography imaging system” Rigaku Journal, vol.30 no.1, (2014) 30-32 https://www.rigaku.com/journal/winter-2014-volume-30-no-1/30-32
  11. K. Omote : “Crystal defects in SiC wafers and a new X-ray Topography system” Rigaku Journal, vol.29 no.1, (2013) 1-8 https://www.rigaku.com/downloads/rigaku-journal?page=7