使用TXRF/VPD计量晶圆表面杂质

元素表面杂质的超痕量测量

TXRF-V310

TXRF分析可以对所有制造工厂]行杂质测量,包括清洁、光刻、蚀刻、灰化、薄膜等。TXRF-V310可以使用单一靶材、三束X射线系统和一个固体探测器测量从Na到U广泛元素范围。

TXRF-V310包括理学专利 XYθ样品台系统,一个真空内晶圆机械传输系统和新型的使用简单的微软软件。通过这些可以获得更高吞吐能力,更高准确性和精度,和简单操作。

为了最高灵敏度和高吞吐能力,当在另一个晶圆上进行TXRF测定时,集成的VPD性能实现了晶圆的自动VPD准备。VPD-TXRF消除了ICP-MS可能发生的操作变异性,并且可以完全受工厂自动化的控制。VPD可以在包括斜角区域的所选区域中恢复。

选购的Sweeping TXRF软件可以在晶圆表面描画杂质的分布,从而鉴别“热点区域”进行更高精度的自动重新测定。

选购的ZEE-TXRF性能克服了以往TXRF设计的15mm边缘排除,启用零边缘排除的测定。

选购的BAC-TXRF性能实现在非接触式翻转情况下的300mm晶圆的正面和背面全自动TXRF测定。

TXRF-V310

Features

  • 可以测定300mm、200mm和150mm的晶圆
  • 广泛的元素分析范围(从Na到U)
  • 轻元素灵敏度(Na、Mg和Al)
  • 理学独特的单靶材3束X射线和XYθ样品台,实现整个晶圆表面的高精度超痕量分析
  • 高灵敏度集成全自动VPD准备
  • 1E7 原子/cm² 检测限
  • 为后续分析从缺陷检测工具倒入测量坐标
  • 多重任务:为最高吞吐能力同时进行VPD和TXRF操作

TXRF-V310 附件

  • 全工厂自动化的GEM-300自动软件
  • 实现描画全晶圆的SP-TXRF性能
  • 实现零边缘排除测定的ZEE-TXRF性能
  • 实现晶圆正面和背面全自动测定的BAC-TXRF性能
  • 晶圆斜角VPD性能
  • 双VPD扫描
  • 为在小瓶中VPD收集液滴的插入物

TXRF-V310 应用

  • 集成VPD的TXRF进行从Na到U的痕量元素分析
    • 作为一个在线杂质监视器适用
    • 可以检测在 107 原子/cm² 级别的过渡金属(500秒测量)
  • 测定杂质元素的空间分布(晶圆描画)
    • 45分钟内测量一个300mm晶圆表面上的杂质
    • 通过单一元素分布图和重叠元素视图一目了然杂质分布
    • 计算整个晶圆表面的平均杂质
    • 通过整个晶圆表面的筛查可自动进行高精度测量发现杂质点
  • 特定点的例行分析:指定坐标的Direct-TXRF
    • 通过避免衍射干涉在一个晶圆的所有点处正确报告杂质级别
    • 可以检测在109原子/cm² 级别的过渡金属(500秒测量)
    • 与封闭X射线管源相比,使用一个大功率旋转阳极X射线源可以获得三倍的吞吐能力
    • 无缝测量轻元素、过渡金属和重金属,无需多个X射线管间的切换

制造工厂全自动高灵敏度分析

  • 清洁过程中分析108 原子/cm² 级别的Ca
  • 清洁过程中分析1010 原子/cm² 级别的Na和Al
  • 传播过程中分析108 原子/cm² 级别的过渡金属
  • 在氧化的后清洁过程中分析108 原子/cm² 级别的Ni杂质

高吞吐能力下对300mm晶圆表面全部描画

  • LPCVD中全部表面描画(1010 原子/cm² 级别)
  • 离子注入中杂质的全部表面描画
  • RIE过程中的全部描画(1010 原子/cm² 级别)
  • 制造工具的转移晶圆的全部描画(1010 原子/cm²级别)


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