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お問い合わせ全自動多目的Ｘ線回折装置 SmartLab
- ガイダンス機能
リガクの分析ノウハウを凝縮した SmartLab Studio II ソフトウェアが、各アプリケーションに最適な光学系ユニットの選択から、測定条件の設定・実行までの測定シーケンスを自動的に設定します。 - ハイパフォーマンスＸ線源 PhotonMax
出力9kWのファインフォーカスＸ線源です。新メカニカルシールを採用し、ターゲットのライフタイムが大幅に改善されました。 - ハイブリッドピクセルアレイ検出器 HyPix-3000
優れたエネルギー分解能がバックグラウンドノイズの抑制に大きく貢献します。2次元検出器としてだけでなく、1次元検出器や0次元検出器としても使用できます。 - 長期保証
高機能なＸ線回折装置を使いたいが、メンテナンスコストが心配というお客様の声にお応えして、安心の長期保証をご提案いたします。PhotonMax：3年または10,000時間保証
HyPix-3000：5年保証
ゴニオメーター：10年保証 - CBOファミリー
リガクの特許技術であるCross Beam OpticsTM（CBO）を標準装備し、各種基本光学系の切り替え操作をシンプルにしました。
各種ビーム形状に対応するCBOシリーズにより、発散ビーム・平行ビーム・集光ビームの切り替えが容易です。 - 多彩な薄膜評価手法を身近に
サンプルの設計膜厚や予想される結晶性などを入力するだけで、そのサンプルに最適な測定手順が設定されます。対応薄膜評価アプリケーション：組成分析、方位・配向分析、結晶性評価、格子緩和評価、格子歪・残留応力評価、膜厚分析、界面ラフネス分析、密度分析、面内均一性評価など - 小角散乱測定をシンプルに
MRSAXSプラグインを用いて、小角散乱データの詳細な解析が簡単にできます。対応各種小角散乱アプリケーション：液体分散ナノ粒子の粒径分布解析、薄膜またはバルク中ナノ粒子/空孔のサイズ分布解析、ナノ粒子/空孔の形状評価、不規則な電子密度分布の相関関数解析など - 粉末解析を簡単に
SmartLabはサンプル情報に基づいて測定光学系を提案し、光学素子の設定、測定条件の設定、そしてデータ測定までの一連のプロセスを、ユーザーフレンドリなダイアログを通じて支援します。各種粉末アプリケーション：定性分析、定量分析、結晶化度評価、結晶子サイズ/格子歪評価、格子定数の精密化、Rietveld解析など - ユニット交換作業の簡素化
接触型コネクタ方式採用により、測定目的に応じてユニットを交換する際に、ケーブル類の抜き差しや電源OFFの必要がありません。どなたでも試料交換や光学系交換が容易に行えます。 - 人間工学に基づいた装置デザイン
背の高い人にも頭部に圧迫感を与えず自然な操作性を確保しました。また、起立、着座にかかわらず測定室の中を確認できるよう、それぞれの視線に合わせた6面の窓の位置設定により、視認性を向上させました。
SmartLabは、幅広い分析手法や各種材料に最適な測定テクニックを知り尽くしたリガクの測定スペシャリストが、そのノウハウをパッケージ化することに成功し、業界ではじめて装置が最適条件を教えてくれるガイダンス機能を実現した装置です。膜厚測定、配向測定、粒径空孔径分布測定など、従来難しかった薄膜材料の測定を、専門的な知識がなくとも可能にしました。
SmartLab シリーズ システム統合ソフトウェア SmartLab Studio II
測定と解析がひとつになった統合分析ソフトウェア
SmartLab Studio IIは、SmartLab シリーズに必要なすべての測定と解析アプリケーションがひとつにまとめられた統合分析ソフトウェアです。ソフトウェアの起動時間やログインの回数などが最小限に抑えられ、測定と各種解析をワンクリックで切り替えることができ、無駄な時間を一切作らずに分析に集中することができます。レイアウトを変更すれば、測定をリアルタイムでモニタしながら、解析を行うことも可能です。
自動化を極める“ユーザーガイダンス”
リガクのノウハウを結集した「ユーザーガイダンス」は、最高の測定結果へ導くための機能です。各アプリケーションに最適な光学系を選択し、自動で光学系調整を行います。また、複雑な測定を行うための試料位置調整条件や測定条件を自動で設定します。パッケージと呼ばれる自動化されたシーケンスには、測定を実行するために必要なすべての情報が登録されています。また、装置メンテナンス用のパッケージも用意されており、たとえばＸ線管球交換後の光学系や検出器の調整を、すべて自動で行うことが可能です。ユーザー自身によるパッケージの作成も可能です。作成されたパッケージはユーザー定義のパッケージとして保存され、いつでも選択、実行が可能です。
解析アプリケーション
これまで同様、X線分析に不慣れな初心者でも最高の解析を行うことができるように、ほとんどの解析条件がデータに応じて設定されるようになっています。SmartLab Studio IIではさらに、X線分析の上級者の方々にも満足していただけるよう、様々なパラメータが用意されており、細かい解析条件の設定が可能になっています。統合ソフトウェアであるがゆえ、ユーザー管理機能、材料データベースなどが完全に共通化され、ソフトウェアの使い方を習得する手間を最小限に抑えることができます。充実したグラフィック機能やレポート作成機能も簡単に使いこなすことができ、解析結果の吟味・評価やプレゼンテーション資料の作成を強力にサポートします。
データベースとネットワークライセンス
測定データや解析結果はデータベースに保存されます。データベースには優れたデータ検索機能、ブラウジング機能、バックアップ機能などが備わっており、例えば、2次元検出器を用いて得られる膨大な数の巨大なサイズの画像データの管理などに威力を発揮します。また、SmartLab Studio IIはネットワークライセンスに対応しています。たとえば、多くのユーザーが同じSmartLab シリーズ システムを使う場合、データベースとネットワークライセンスを組み合わせれば、膨大な数のデータの一括管理（集中管理）を容易に行うことができます。
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多次元ピクセル検出器 HyPix-400 |
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反射/透過対応6試料自動交換アタッチメント ASC-6 |
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10試料自動交換アタッチメント ASC-10 |
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キャピラリー回転アタッチメント |
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βアタッチメント |
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φ アタッチメント |
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RxRy & φアタッチメント |
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a-β アタッチメント |
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χ-φ アタッチメント |
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XY-20 mm アタッチメントヘッド |
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XY-4インチ アタッチメントヘッド |
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電池セルアタッチメント |
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高温アタッチメント HTK 1200N | HTK1200N キャピラリ |
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| HTK 1200Nは、バルク試料を最高温度1200℃まで測定可能なアタッチメントです。傍熱加熱により試料を精度よく昇温させることが可能です。 |  |
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- Ｘ線ロッキングカーブ法によるGaN薄膜の結晶性（チルト・ツイスト）評価
- インプレーン回折法、およびＸ線反射率法によるhigh-k材料（HfO2）の評価
- インプレーン回折法による次世代磁気記録媒体（FePt）の評価
- すれすれ入射Ｘ線散乱法（反射X線小角散乱法）による低誘電率層間絶縁膜（Low-k膜）の評価
- ラビング処理ガラス基板上Cuフタロシアニン薄膜の分子配向評価
- インプレーン逆格子マップ法によるZnO薄膜の方位評価
- 有機TFT用ペンタセン薄膜の結晶相および配向状態観察
- 2次元検出器による強誘電体薄膜の配向評価
- 有機TFT応用セキシチオフェン(6T)薄膜の分子配向評価
- Ｘ線回折法によるhigh-kゲート絶縁膜の構造評価
- Ｘ線反射率法による薄膜評価
- ホイスラー合金薄膜の熱処理による構造変化
- 逆格子マップによるSGOIウェーハの結晶性評価
- 高速2次元検出器によるCu薄膜材料の配向性評価
- 深さ方向の変化を非破壊で見る ～InN／GaN／GaAsの場合～
- 薄膜の3次元的な配向状態を調べる ～2&theta/&theta測定とインプレーン測定を組み合わせた配向評価～
- DVD記録層の結晶構造評価
- Direct Silicon Bonding(DSB)基板の接合界面および結晶性の評価
- グレーティングパターンのCD計測と断面形状評価
- 広域逆格子マップ測定のデータから異なる配向の存在を評価する
- 高速1次元X線検出器による逆格子マップ測定～SiGe薄膜の格子歪み量（緩和率）の評価～
- WPPF法とRIR法を用いた定量結果の違い ～ 配向を持つ試料の定量分析 ～
- 1 mm以下の微小領域の測定 ～ アスベストは蛇紋岩に含まれているのか？ ～
- 酸化鉄の定性・定量分析
- メソポーラスシリカの構造を明らかにする
- リチウムイオン電池正極材料の充放電に伴う構造変化のその場観察
- 天然鉱物中に含まれる0.5 mass%未満のアスベストの測定
- 平行ビーム光学系による赤外線加熱高温装置を用いた格子定数の温度依存性評価
- 高速一次元検出器D/teX Ultra2による鉄系試料中の微小ピークの検出
- 圧延板の結晶方位解析
- 極点解析におけるDefocus補正
- ポリイミドフィルム中の銅ナノ粒子の粒子径分布測定
- 酸化亜鉛ナノ粒子の結晶子サイズ分布解析
- ナノ構造体の評価～ 鉄内包フェリチン ～
- 温湿度変化に伴う医薬品の結晶系変化（1）～ XRD・DSC同時測定による結晶系の変化観察～
- 温湿度変化に伴う医薬品の結晶系変化（2）～ XRD・DSC同時測定による結晶系の変化観察 ～
- 原薬中の微量非晶質成分の高感度測定
- 錠剤中の疑似多形不純物の非破壊測定
- 低温下におけるイオン液体の結晶化挙動（1）
- 低温下におけるイオン液体の結晶化挙動（2）
- 金ナノ粒子の粒子径分布解析
- 多孔質物質（メソポーラスシリカ）の細孔径分布解析
- 平行ビーム光学系による有機結晶の粉末結晶構造解析（1）
- 平行ビーム光学系による有機結晶の粉末結晶構造解析（2）
- EXPO2009を用いた直接法による粉末結晶構造解析
- 不純物を含む試料からの未知結晶構造解析（1）～ フルフェナム酸共結晶 ～
- 不純物を含む試料からの未知結晶構造解析（2）～ フルフェナム酸共結晶 ～
- 高速一次元検出器を用いた微量結晶多形成分の定量
- 粗大結晶粒をもつ試料の結晶方位測定
- Ｘ線小角散乱法によるサブナノ金粒子の粒子径分布
- 粒子径によって異なる蛍光発光スペクトルを示すCdSeナノ粒子の粒子径分布
- 高分解能集光ビーム光学系による有機結晶の粉末結晶構造解析
- 高速二次元検出器を利用した微小領域測定 ～ 超硬バイトの微小領域評価 ～
- 錠剤中の原薬の結晶形同定 ～集光光学系を用いた非破壊・透過測定～
- 凍結乾燥プロセス中に現れる結晶相の同定～試料低温・高温アタッチメントの活用～
- NiSi合金の熱膨張率測定～WPPF法による格子定数精密化～
- 多目的試料高温装置を用いた無機物質のIn-situ測定
- Ptナノ粒子の水素導入前後における粒径分布・結晶子サイズ解析
- X-ray DSCとCu Kα1光学系を用いた医薬品の未知結晶構造解析
- 高分子フィルムの3方位測定と配向度解析
- 結晶方位分布（ODF）解析によるCu配線膜の評価
- X-ray DSCを用いた高分子膜の評価
- 電子基板の微小領域マッピング測定
- 多結晶Si特定ドメインの極点測定
- 微小量試料の低バックグランド高速測定
- 植物性油脂の冷却に伴う結晶形変化の観察 ～2次元検出器を用いた1秒間時分割測定～
- 金属部品の応力マッピング測定
近年、GaNを中心としたIII族窒化物材料が注目され、発光素子（青～紫外）や、パワーデバイスの開発が進められています。これらのデバイス特性は製膜される薄膜の結晶性と関連がありますが、この結晶性を評価する方法としてX線ロッキングカーブ法が挙げられます。・・・・・
トランジスターのゲート絶縁膜として使用されてきたSiO2は、回路の微細化に伴い、その厚さは1 nm以下にまで薄くする必要があります。しかし、漏れ電流が生じ、絶縁膜として機能しなくなってしまうため、これに代わる高誘電率（high-k）材料がさかんに研究されています。・・・・・
次世代の超高密度磁気記録媒体として、金属微粒子を薄膜中に分散させたグラニュラー膜が注目されています。中でもFePtの規則相（正方晶）は、磁気異方性が特に高く、耐食性・耐酸化性に富むことから、実デバイスへの応用が期待されています。・・・・・
Ｘ線を試料表面すれすれに入射すると、表面構造や薄膜構造を知ることができます。最もポピュラーなすれすれ入射X線測定はＸ線反射率測定です。Ｘ線反射率測定は薄膜材料を問わず、高精度に密度・膜厚・ラフネスを算出することが可能で、多層膜の薄膜構造解析に利用されています。・・・・・
近年、次世代の半導体薄膜材料の中で注目されている材料系の一つとして有機半導体があります。有機半導体は低コスト、作成方法の簡便さ、物性の多様性というデバイス面での期待があり、その物性は分子の配向、配列と大きな相関があります。・・・・・
ZnOは透明導電極の新しい材料として注目を集めており、フラットパネルディスプレイや白色LEDへの応用が期待されています。薄膜状態の材料評価では、基板と膜の結晶方位の関係を知ることが重要です。・・・・・
有機TFT（有機薄膜トランジスター）材料の中で、ペンタセンはアモルファスSiに迫るキャリア移動度をもつ材料として注目されていますが、目標とする特性を得るには結晶相や分子配向を制御することが不可欠です。・・・・・
強誘電体薄膜は、メモリ応用やMEMS応用などの応用が期待されています。その自発分極軸を電界印加方向に揃える必要があることから、特に配向に関する知見を得ることが重要です。・・・・・
有機TFT（有機薄膜トランジスター）は印刷法による低コストでの大量生産が可能であり、フレキシブルなプラスチック基板上に形成できるため、薄くて軽いディスプレイを駆動させるTFTとして期待されています。トランジスターとしての性能を左右するのはキャリアの移動度ですが、有機分子の配向状態を制御することで、同じ分子でも移動度が向上する可能性があります。・・・・・
高誘電率（high-k）極薄ゲート酸化絶縁膜では、膜厚、中間層の有無、結晶化の状態などの膜構造が、設計どおりになっているかどうかの評価が不可欠です。・・・・・
表面が平坦な物質の表面すれすれにＸ線を入射すると、Ｘ線に対する物質の屈折率は1よりもわずかに小さいため、試料表面で全反射を起こします。また、表面や膜の界面で反射され、試料表面への入射角度を連続的に変化させると、互いに干渉したＸ線の強度は振動として観測されます。・・・・・
ホイスラー合金は磁気抵抗素子、固体磁気記録素子などへの応用が期待される材料で、熱処理による結晶構造の変化や表面・界面状態の変化を調べることが重要です。・・・・・
逆格子マップとは、結晶性物質の格子面間隔と結晶方位分布を2次元表示したものです。単結晶基板・エピタキシャル薄膜などの結晶性や格子歪みの状態が一目でわかります。・・・・・
Cu薄膜はLSIの高速化、大規模化、信頼性の向上のため、Al系金属に代わり、多くの電子材料において配線材料として用いられています。配向状態が特性に大きく関係するため、その評価手法が検討されてきました。・・・・・
インプレーン測定では、薄膜試料の表面にX線をすれすれに入射します。この時に、入射する角度を精密に制御することでX線が試料内部に侵入する深さを制御することができます。・・・・・
インプレーン測定では、薄膜試料の表面にＸ線をすれすれに入射します。この時に、入射する角度を精密に制御することでＸ線が試料内部に侵入する深さを制御することができます。・・・・・
試料表面すれすれにX線を入射するインプレーン回折法では、厚さ1 nm程度の非常に薄い膜でも回折測定が可能です。これにより、多結晶性薄膜試料の結晶構造や格子定数、結晶子の大きさなどがわかります。・・・・・
微細化によって達成されてきたSi系MOSデバイスの高速動作性能の向上は、物理的な限界に到達してきていると言われ、近年では微細化に頼らずに高性能化を目指す研究が活発になってきています。・・・・・
CD(Critical Dimension)計測とは、チップ上の微細（100マイクロメータ程度以下の）パターンを対象として線幅、間隔、パターン位置等を計測する技法のことで、半導体プロセスの管理や製品管理に用いられます。・・・・・
広域逆格子マップ測定では、2θ方向とχ方向（試料あおり方向）の情報が得られます。そのため、2θ/θ測定のプロファイルのみでは判断できなかった異なる配向組織の存在を一目で把握することができます。・・・・・
SiGe（シリコンゲルマニウム）を応用したトランジスターは、消費電力が小さく、高速で動作します。SiGeは、SiにGeを固溶させたもので、Siよりも移動度が高く、格子歪み量が大きいほど大幅な移動度の増大が期待できます。・・・・・
Ｘ線回折法を用いた定量分析では、試料の状態や対象成分の濃度などによって定量方法を使い分けます。検量線を用いた方法の場合、標準試料の確保、試料調製や測定の煩雑さが生じることから、現在では、WPPF（Whole Powder Pattern Fitting）法やRIR（Reference Intensity Ratio）法による解析に置き換わりつつあります。・・・・・
建材用モルタル混和材に使用され、蛇に似た縞模様をもつことから命名された蛇紋石には、非アスベストのアンチゴライトとリザルダイトの他にアスベストに分類されるクリソタイルの三つの多形（化学組成は等しいが、結晶構造が異なる物質）が存在します。・・・・・
鉄さびには、おもに赤さびと呼ばれるヘマタイト（Fe2O3）と黒さびと呼ばれるマグネタイト（Fe3O4）、これらの鉄酸化物が存在します。酸化鉄は自然界に豊富に存在し、人体あるいは生態系に及ぼす影響が少なく安価であるため、腐食防止剤・研磨剤・顔料・触媒などさまざまな用途に用いられています。・・・・・
メソポーラスシリカ（MCM-41）は、細孔がヘキサゴナル状に配列した構造を持ち、比表面積が大きいことが特徴で、触媒材料や吸着剤などに用いられています。・・・・・
リチウムイオン電池の寿命を延ばすためには充放電過程での状態の制御が重要であると言われています。そのためには、100%充電状態、放電状態の電極構造を観察するだけでは不充分であり、充電深度・放電深度と電極構造の関係をその場観察することが必要になります。・・・・・
平成18年9月から、労働安全衛生法及び石綿障害予防規則の改正により、アスベストであるトレモライトやクリソタイルを0.1mass%以上含む天然鉱物（タルクやセピオライトなど）の輸入・製造が禁止されました。・・・・・
Ｘ線回折測定によって、材料の結晶構造に基づく結晶相の同定や格子の長さ、原子の座標位置などを評価することができます。したがって、Ｘ線回折法は材料物性の研究には欠かせない分析手法の一つです。・・・・・
高速一次元検出器を用いると、同じ分解能を有する測定条件下で比較した場合、シンチレーションカウンタ（SC）に比べて約100倍の強度が得られます。・・・・・
金属やセラミックスなどは、建築物や飛行機・自動車などをはじめとして、さまざまな分野で使用されていますが、その多くは結晶性材料であり、製造・加工時の変形や熱履歴による局所的な結晶方位の変化（集合組織）を引き起こします。・・・・・
極点測定は、試料の結晶方位やその方位の体積率を算出するための重要な測定手法です。反射極点測定ではα軸（あおり軸）を用いて測定を行いますが、試料をあおることで、光学系の集中点が広がってしまい、スリット幅を固定して測定すると極点図形の外側に向けて測定強度が真の強度に比べて減少します。・・・・・
金属ナノ粒子はその大きさからサイズ効果と呼ばれる現象によって、バルク体とは異なる性質を示します。このとき、粒子の大きさのばらつきを均一化させることにより、優れた特性を発揮させることができます。・・・・・
近年、光触媒を用いた空気の浄化や水の分解に関する研究が盛んになり、特に酸化物半導体は、空気中における過酷な使用条件下でも性質が変化しにくいため、光触媒の素材として有望視されています。・・・・・
外径が13 nmで内部に7.5 nmの空洞を持つ籠状タンパク質のアポフェリチンは、さまざまなナノ粒子作製のテンプレートとして使用できることがわかってきました。・・・・・
医薬品や食品は温度や湿度などにより結晶系が変わることがあります。特に日本の気候は、夏は蒸し暑く冬は低温あるいは乾燥など、温度や湿度の変化が激しく、医薬品の合成や食品を保存する環境としては劣悪な条件下といえます。・・・・・
医薬品や食品は温度や湿度などにより結晶系が変わることがあります。特に日本の気候は、夏は蒸し暑く冬は低温あるいは乾燥など、温度や湿度の変化が激しく、医薬品の合成や食品を保存する環境としては非常に厳しい条件といえます。・・・・・
有機物の一部では、非晶質は結晶質と比較して不安定な状態であるため、外的要因により容易に結晶質に転移することがあります。特に医薬品の場合、結晶化度の違いは、結晶多形以上に物理化学安定性や溶解性が著しく異なる場合があります。・・・・・
医薬品の錠剤化過程では、原薬が賦形剤として用いられる糖やでんぷんなどと反応したり、打錠時の圧力で脱水反応や多形転移などを生じる場合があります。昨今、錠剤化過程において原薬が元の結晶系を維持しているか否か、多形不純物が生じているか否かを錠剤のまま、できるだけ短時間で確認したいという要求があります。・・・・・
イオン液体は水、有機溶媒につぐ第3の液体といわれ、分子性の陽イオンと陰イオンで構成されており、電気伝導性が高く、燃料電池、太陽電池などの電気化学分野において注目されています。・・・・・
イオン液体は水、有機溶媒につぐ第3の液体といわれ、分子性の陽イオンと陰イオンで構成されており、電気伝導性が高く、電気化学分野において注目されています。・・・・・
金属ナノ粒子はサイズ効果によって、バルク体とは異なる性質を示します。このとき、粒子の大きさやそのばらつきを均一化させることにより、優れた特性を発揮させることができます。・・・・・
活性炭やメソポーラスシリカなど、バルク中にたくさんの空孔を有している物質を多孔質物質と呼びます。多孔質物質は多くの空孔があるため比表面積が大きく、吸着能も高くなります。・・・・・
従来、結晶構造解析は単結晶を用いることが一般的でした。しかし、結晶性の純物精製が難しい試料、また純物質の精製ができても結晶成長が難しい試料では単結晶による結晶構造解析は困難となります。・・・・・
従来、結晶構造解析は単結晶を用いることが一般的でした。しかし、結晶性の純物精製が難しい試料、また純物質の精製ができても結晶成長が難しい試料では単結晶による結晶構造解析は困難となります。・・・・・
従来、結晶構造解析は単結晶を用いることが一般的でした。しかし、結晶性の純物精製が難しい試料、また純物質の精製ができても結晶成長が難しい試料では単結晶による結晶構造解析は困難となります。・・・・・
従来、結晶構造解析は単結晶を用いることが一般的でした。しかし、結晶性の純物精製が難しい試料、また純物質の精製ができても結晶成長が難しい試料では単結晶による結晶構造解析は困難となります。・・・・・
従来、結晶構造解析は単結晶を用いることが一般的でした。しかし、結晶性の純物精製が難しい試料、また純物質の精製ができても結晶成長が難しい試料では単結晶による結晶構造解析は困難となります。・・・・・
同じ化学式で結晶構造の異なる物質を結晶多形と呼びます。Ｘ線回折プロファイルは測定した物質の結晶構造に依存するため、Ｘ線回折測定は結晶多形の評価に用いられます。・・・・・
極点測定とは、試料の結晶方位やその方位の体積率を算出するための重要な測定手法です。特に体積率を算出するためには、測定強度が真の強度であることが重要になります。・・・・・
Ｘ線小角散乱法を用いることにより、粉末や液体分散微粒子、薄膜中に分布する粒子や空孔のサイズ分布を評価できます。特に、TEM（透過電子顕微鏡：Transmission Electron Microscope）やDLS（動的光散乱法：Dynamic Light Scattering）等では評価困難なサブナノメータの粒子の平均サイズとその分布を評価することが可能です。・・・・・
化合物半導体CdSeナノ粒子はサイズによって蛍光発光スペクトルが異なり、しかも大きな蛍光強度、安定性、単色性をもつため、可視光～紫外光発光材料、ディスプレイ材料、さらに医療用蛍光マーカーなど医療用・生化学用として、活発に研究されています。・・・・・
従来、結晶構造解析は単結晶法で行うのが一般的でした。しかし、単結晶の作製が難しい試料、また単結晶を作製できても結晶成長が難しい試料では単結晶法による結晶構造解析は困難となります。・・・・・
切削工具に用いられる超硬バイトは、耐久性向上のために、様々なコーティングがなされています。これまでも、Ｘ線回折によるコーティング相の評価が行われてきましたが、場所による組成や結晶性、配向の違いなどを迅速かつ同時に評価したいという要望もあります。・・・・・
医薬品原薬の多くには複数の結晶形（Form）が存在し、結晶形によって溶解度やバイオアベイラビリティが異なることが知られています。・・・・・
水溶液にすると即座に分解が進行する医薬品は用時溶解型製剤として、凍結乾燥によって製造されます。この凍結乾燥は、水の凍結と溶液の濃縮を行う「凍結」、氷を昇華させる「一次乾燥」、固体部分から水を蒸発させる「二次乾燥」の 三つのプロセスから成ります。・・・・・
格子定数は、結晶構造の基本単位となる単位格子の一辺の長さ（a、b、c ）と、そのなす角度（α、β、γ）を規定する定数です。・・・・・
セラミックスをはじめとした無機材料合成の代表的な手法として、加熱処理による固相反応法があります。これは合成原料混合物を、電気炉などを用いて高温で焼成し、目的の合成物を得る方法です。しかし、この方法では・・・・・
固体高分子形燃料電池（PEFC）は燃料極、固体高分子膜、空気極が一体化した膜/電極接合体（Membrane Electrode Assembly：MEA）の他にガスケットやセパレーターで構成されたセルを複数個つなげた（スタック）ものです。燃料極では水素やメタノールが供給され、触媒反応によりプロトンと電子に分解されます。この反応では・・・・・
医薬品は有効性、安全性、安定性の観点から全ての結晶多形について評価を行う必要があります。しかし、医薬品は分子量が大きく結晶構造も複雑で、湿度や温度などの条件により多くの結晶多形が存在します。・・・・・
ポリプロピレンやポリエチレンなどの高分子フィルムは機械強度増加のために加熱しながら延伸成形を行います。延伸に伴いフィルム中の結晶成分が配向し、特定の方向に揃うため、粉末試料などで用いる反射法による測定だけでは十分な情報を得ることが困難です。・・・・・
金属をはじめとする多くの工業材料の特性と結晶配向には強い関係があるため、配向の方位やその比率を定量的に解析することが重要です。配向を定量的に・・・・・
脱水反応や融点、結晶化などの温度を把握するには熱重量測定（TG-DTA）や示差走査熱量測定（DSC）を用いるのが一般的です。しかし、DSC単独の測定では吸発熱前後の結晶構造の変化がわかりません。・・・・・
電子基板のように非常に多くの微小部品で構成されている試料を測定する場合、各領域の結晶状態を評価するためには、X線を絞り、特定の領域にのみ照射する必要があります。・・・・・
多結晶体とは複数の単結晶粒子で構成されており、それぞれの単結晶粒子がランダムな方向を向いている状態のことをいいます。多結晶体中の各単結晶粒子の方位は、試料面に対して3次元的な方向の回折強度分布を調べる手法である極点測定で判断できます。・・・・・
X線回折測定法では、結晶相に対する分析を行うことができるため、鉱物試料や金属材料、医薬品をはじめとした有機材料などの評価に広く使用されています。従来は測定および解析を行うために十分な試料量を必要としていましたが・・・・・
チョコレートやマーガリンに含まれる結晶性油脂には複数の結晶形が存在します。目的とする結晶構造の発現と相転移の制御は、製品開発、製造工程管理、品質保証の鍵を握っています。試料を加熱・冷却しながらX線回折測定・・・・・
金属材料に対して外部から力を加えたときに、内部に残留した力（内力）のことを残留応力といいます。金属を曲げた場合、元の形状まで戻れば残留応力は生じませんが、弾性限界を超えて変形したままの場合に・・・・・
