Mediciones de parámetros de red epitaxial

La difracción de rayos X es especialmente valiosa para el estudio de capas epitaxiales y otros materiales de película delgada. Usando métodos de medición precisos de parámetros de red, la falta de coincidencia de la red de una capa epitaxial y su sustrato se puede determinar con gran precisión.  Esta coincidencia o falta de coincidencia de parámetros de red es un factor importante en dispositivos epitaxiales como películas magnéticas de granate para memorias de burbujas, películas de arseniuro de galio dopadas para LED y transistores de alta velocidad, detectores infrarrojos y otros productos electrónicos importantes. Otro uso interesante de XRD para películas delgadas es que el coeficiente de expansión térmica se puede determinar trazando los parámetros de la red frente a la temperatura utilizando un difractómetro de alta temperatura.

Las curvas de oscilación de rayos X de alta resolución a menudo se utilizan para determinar con precisión la composición y el grosor de las películas de aleación epitaxial. El difractómetro SmartLab® de Rigaku, que ofrece una óptica de resolución variable, es ideal para tales propósitos. El diseño modular de la óptica SmartLab permite a los usuarios insertar fácilmente diferentes elementos ópticos de su elección, como los monocromadores Ge(220)x2, Ge(220)x4, Ge(400)x2 o Ge(440)x4, para el haz incidente y un analizador Ge(220)x2 para el haz difractado. Estos módulos ópticos se alinean automáticamente y pueden ser detectados automáticamente por la computadora de control.  Una abertura de recepción variable automática también está disponible para el haz difractado.